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SAP97 介導記憶B細胞快速反應
更新時間:2013-03-15   點擊次數:962次

SAP97 介導記憶B細胞快速反應
在*次遇到外來抗原后,具有免疫球蛋白M(IgM)B細胞受體(BCRs)的初始B細胞引發抗體反應,并產生具有IgG BCRs的記憶B細胞。當這些記憶B細胞再次遇到相同的抗原時,細胞表面的IgG BCRs刺激它們迅速分化成漿細胞釋放大量的IgG抗體。

7月31日,SCI SIGNAL雜志報道免疫系統通過IgG BCRs介導信號通路,確保記憶B細胞對再次遇見的病原體快速而地作出反應的機制。

研究表明,IgG BCRs保守的胞質區尾部包含一個假定的PDZ(postsynaptic density 95/disc large/zona occludens 1)結合基序。該尾部區域與突觸相關蛋白97(SAP97)相關。SAP97 是一種包含PDZ結構域的腳手架分子,參與控制神經突觸受體密度和信號強度。

在B細胞處理抗原過程中形成了免疫突觸。在這些免疫突觸中,SAP97積累并結合到IgG BCRs上。在IgG+ B細胞中下調SAP97或突變BCR尾部的PDZ-結合基序,可阻礙免疫突觸的形成,IgG BCR信號的起始,以及有絲分裂原活化蛋白激酶p38的下游激活。

總之,在IgG BCR免疫突觸中,腳手架蛋白SAP97增強了B細胞記憶反應。B細胞記憶反應調節機制的進一步揭示,對于誘導免疫系統抗擊病原體入侵具有重要意義。SAP97或可成為免疫治療的新靶點。

 

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